使用纳米线（Nanowire）材料制作存储设备已经不是新鲜事了，不过日前来自宾夕法尼亚大学的研究人员表示，他们正在研究一种突破性的纳米线存储技术，这种技术的与众不同之处在于使用的材料可以以三种不同的状态存储数据，可以表示0、1、2，而不只是0和1两种状态。
据称这种锗-碲化合物纳米线GeTe/Ge2Sb2Te5制造过程并不十分复杂，开发人员表示三进制的存储设备可以大幅度提高存储密度，意味着可以在更小的空间内储存更多的数据信息。另外研究人员还表示纳米线存储器可以利用纳米材料特有的自组织性，“从下到上”地生成，克服传统硅芯片制作工艺的瓶颈。
