《科创板日报》10月28日讯 据Digitimes最新报道，存储行业领军者三星电子近日宣布，将针对其12层HBM3E产品实施高达30%的降价策略，此举意在抢占市场份额，应对日益激烈的市场竞争。
三星此次发起“价格战”，背后实则是其产品良率提升缓慢所导致的市场份额下滑。据悉，三星的12层HBM3E产品直至今年9月才通过英伟达的严格测试，并正式开始供应，预计今年第四季度出货量将达到数万片。然而，与竞争对手相比，三星在HBM3E的出货时间上明显滞后。
公开资料显示，早在2024年，SK海力士便已成功通过良率测试，并确定向英伟达供应HBM3E产品。今年上半年，SK海力士更是实现了16层HBM3E的量产供货，进一步巩固了其市场地位。另有消息称，今年6月，美光HBM3E的良率已提升至70%以上，且预计出货量将超过8层HBM3E，显示出强劲的市场竞争力。
在良率与市场份额均处于劣势的情况下，三星于今年7月被曝出将针对部分客户提出HBM3E的降价提案，以期促成商用合作。 三星当时提醒，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生显著变化，短期内市场价格也可能因此受到波动。
然而，从产品迭代趋势来看，HBM3E仅仅是高带宽内存系列中的第五代产品。站在当下时点，高带宽内存系列的第六代产品——HBM4或即将全面推出，成为市场新的焦点。
本月有消息称，三星正在紧锣密鼓地推进HBM4的研发工作。其计划于10月27日至31日在2025年三星科技展上正式发布第六代12层HBM4，并计划于今年晚些时候实现量产。与此同时，其他存储厂商也在积极布局。今年9月，SK海力士表示已完成全球首款HBM4的开发工作，已为量产做好充分准备。
HBM4的全面接棒，背后是英伟达等科技巨头对AI芯片架构的全面升级。早在去年，英伟达CEO黄仁勋就预告将推出Blackwell Ultra AI芯片，且该芯片将采用HBM4内存，这无疑为HBM4的市场前景增添了更多期待。
据TrendForce集邦咨询最新调查显示，近期英伟达积极要求Vera Rubin server rack的关键零组件供应商提高产品规格，其中包括HBM4的Speed per Pin须调升至10Gbps。在此背景下，预计SK海力士在HBM4量产初期将维持其最大供应商的优势地位。
从价格趋势来看，TrendForce预测，2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%，达到1.80美元/Gb，显示出其可观的盈利能力。另有机构预计，明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元，比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上，进一步凸显了HBM4的市场价值。
目前来看，三星发动的HBM价格战，传导到DRAM等传统存储芯片的概率较低。 根据此前韩国KB证券研究主管Jeff Kim的预计，若DRAM当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能将超越HBM。据其估算，三星7-9月期间标准DRAM业务运营利润率约为40%，而HBM业务则达60%，显示出DRAM市场的强劲潜力。
另据日前消息，三星电子、SK海力士等存储厂商将在今年第四季度针对传统内存继续向客户调整报价，包括DRAM和NAND在内的存储产品价格将上调高达30%，以顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。这一举措无疑将进一步影响存储市场的格局。
猜你喜欢
