安森美发布垂直氮化镓功率半导体，引领高效能源新趋势

财联社10月31日消息，全球知名半导体企业安森美（onsemi）正式宣布推出新一代垂直氮化镓（vGaN）功率半导体产品，这一创新技术将显著提升功率器件的能效表现，为新能源、工业自动化及消费电子领域带来突破性解决方案。

据技术资料显示，针对超高压应用场景，安森美研发的垂直氮化镓（vGaN）采用独特的GaN-on-GaN基板技术，通过三维晶体结构使电流实现垂直导通路径。相较于传统横向导通方案，该设计使能量损耗降低近50%，同时热阻减少30%以上，有效解决高功率密度场景下的散热难题。

目前安森美已启动样品验证计划，向重点客户开放700V和1200V两个电压等级的垂直氮化镓器件。工程测试数据显示，在相同封装尺寸下，vGaN器件的导通电阻较传统硅基器件降低80%，开关频率提升3倍以上，特别适用于快充电源、光伏逆变器及电动汽车OBC等高效率需求场景。

行业分析师指出，安森美此次技术突破标志着第三代半导体材料进入垂直结构商业化阶段，预计将加速氮化镓在1200V以上高压市场的渗透率。随着全球能源转型进程加快，高效功率半导体市场需求将持续增长，垂直氮化镓技术有望成为下一代功率器件的核心发展方向。