《科创板日报》10月18日讯（编辑 宋子乔） 当地时间10月17日，英伟达CEO黄仁勋亲临台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的半导体制造工厂，共同见证首片在美国本土生产的Blackwell芯片晶圆正式下线。庆典现场，黄仁勋与台积电运营副总裁王永利在这片具有里程碑意义的晶圆上签名，标志着英伟达最新一代AI核心芯片正式开启美国本土量产进程。
Blackwell芯片是英伟达迄今为止最先进的AI芯片与超级计算平台，采用台积电4NP工艺制造，集成了Blackwell GPU、Grace CPU、NVLink交换机等核心组件，晶体管数量高达2080亿个，是其前代Hopper芯片（800亿个晶体管）的2.5倍以上。该芯片配备192GB HBM3E显存，支持第五代NVLink技术（1.8TB/s双向带宽），并引入了多项突破性创新，包括用于提升性能和精度的FP4精度、用于更快大型语言模型推理的第二代Transformer引擎，以及用于加速数据处理的专用解压引擎。
回顾Blackwell芯片的发布历程，当地时间2024年3月18日，英伟达在加州圣何塞举行的GTC大会上首次展示了这款处理器。其GB200超级芯片可为大模型推理负载提供高达30倍的性能提升，同时成本和能耗降低25倍。2024年6月，黄仁勋宣布该平台的芯片正式投产，并在当年四季度确认量产与发货。
黄仁勋在今年年初的演讲中透露，Blackwell芯片在推理模型中的表现是Hopper的40倍。自Blackwell芯片推出一年来，AI行业取得了巨大进展，AI功能日益强大。据统计，2024年全球前四云服务提供商共采购了130万片Hopper架构芯片，而到了2025年，它们又购买了360万片Blackwell芯片。预计到2028年，数据中心建设支出将达到1万亿美元。黄仁勋还提到，公司正在全力生产Blackwell芯片，并计划在下半年过渡到Blackwell Ultra。
根据黄仁勋公布的产品路线图，英伟达计划以“一年一更”的节奏快速迭代其AI芯片架构，计划于2025年推出Blackwell Ultra，作为Blackwell的增强版本，进一步提升芯片性能。
台积电在亚利桑那州凤凰城建设的半导体制造基地（官方名称为Fab 21）于2022年12月举行了移机典礼。该基地计划建设六座先进制程晶圆厂和两座先进封装厂，共同构成一个超大型晶圆厂（Gigafab）聚落。从短期看，台积电亚利桑那工厂将经历三个开发阶段：
第一个阶段是使用其4nm/5nm制造技术为苹果制造处理器，预计将在2025年正式投产。
第二阶段的建设则已经接近完成，内容为在2027年或2028年生产3nm或2nm级芯片。
第三阶段则计划在本世纪末或下一十年初完工。台积电预计将为此三个开发阶段总计投入约650亿美元。
根据规划，台积电亚利桑那州工厂未来将负责生产包括2纳米、3纳米、4纳米制程的芯片以及A16芯片，这些先进技术对于人工智能、电信和高性能计算等前沿应用的发展至关重要。
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