安森美发布垂直氮化镓功率半导体，引领高效能电力电子革新

安森美推出垂直氮化镓功率半导体，开启高效能电力电子新篇章

2023年10月31日，全球知名半导体供应商安森美（onsemi）正式宣布推出其革命性的垂直氮化镓（vGaN）功率半导体。这一技术突破标志着电力电子领域向更高效率、更低损耗的方向迈出了关键一步。

据官方技术资料显示，安森美的垂直氮化镓（vGaN）功率半导体采用了创新的GaN-on-GaN技术架构。与传统横向结构不同，该技术使电流能够垂直穿过芯片晶圆，而非沿表面横向流动。这种垂直导通设计显著优化了电场分布与载流子传输路径，实现了能量损耗的革命性降低——实测数据显示，在相同工作条件下，垂直氮化镓器件的能量损耗较传统方案减少近50%，同时热量产生也大幅下降。

目前，安森美已启动垂直氮化镓功率半导体的早期客户合作计划，首批提供700V和1200V两个电压等级的器件样品。这两个电压区间精准覆盖了新能源汽车、光伏逆变器、工业电机驱动等高功率应用场景的核心需求，为终端产品提供了更紧凑、更高效的功率转换解决方案。

业内专家指出，安森美垂直氮化镓技术的商业化落地，不仅将推动电力电子系统向更高功率密度演进，更可能重塑宽禁带半导体市场的竞争格局。随着样品测试的推进，预计该技术将在2024年逐步进入量产阶段。