财联社9月19日（编辑 史正丞）据周五晚间最新市场消息，经历多次技术挫折后，三星电子的12层HBM3E高带宽存储芯片终于获得全球算力巨头英伟达的认证，这一突破为三星在AI存储器领域的技术信誉注入强心剂。
据知情人士透露，三星第五代12层HBM3E芯片近期通过英伟达严苛的资格测试。该认证距离芯片开发完成已历时18个月，期间多次测试均因性能未达英伟达标准而受阻。此次突破意味着三星正式跻身英伟达HBM3E供应商行列，此前其芯片已向AMD供货，但始终未能突破英伟达的供应商门槛。
技术资料显示，英伟达旗舰B300人工智能加速器及AMD MI350系统均采用此类大容量存储芯片。业内人士指出，三星芯片业务负责人全永贤年初力排众议，重新设计HBM3E的DRAM核心，成功解决早期版本的热性能问题，为通过认证奠定关键基础。
尽管三星成为继SK海力士、美光科技后第三家获英伟达认证的供应商，但消息人士透露其订单量仍将相对有限。一位业界高管评价称：“供货英伟达对三星而言更多是技术实力的象征，而非直接营收增长。获得认证意味着其技术路线已重回正轨。”
HBM4竞争进入倒计时
三星的回归预示着2026年HBM4市场的竞争将全面升级。作为第六代高带宽内存，英伟达计划在其明年上市的Vera Rubin架构中采用HBM4芯片。三星计划采用10纳米级（1c）DRAM制程，并搭配自主代工厂生产的4nm逻辑芯片，技术领先于竞争对手采用的1b制程和12纳米逻辑芯片。
性能指标方面，英伟达要求供应商将HBM4数据传输速度提升至每秒超10Gb，远超当前8Gb的行业标准。知情人士透露，三星已展示出11Gbps的传输能力，领先SK海力士的10Gbps，而美光科技则难以满足这一要求。
为抢占先机，三星计划本月向英伟达大量出货HBM4样品，并已与英伟达、博通及谷歌等AI芯片厂商展开洽谈，目标在2026年上半年实现大规模出货。若能提前获得英伟达认证，三星有望在HBM4市场夺回被SK海力士占据的份额。
作为主要竞争对手，SK海力士上周五宣布完成HBM4内部验证和质量保证流程，准备启动大规模量产。其产品带宽较上一代翻倍，能效提升40%。受此消息推动，SK海力士股价上周累计上涨超20%，本周再涨7.46%，年内涨幅达102%。
（SK海力士周线图，来源：TradingView）
美光科技亦不甘示弱，其于6月10日宣布已向多家关键客户交付12层HBM4 36GB芯片样品，试图在HBM4市场分一杯羹。
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