《科创板日报》11日讯，据业内权威人士透露，全球知名存储芯片制造商SK海力士正全力推进一项革命性的技术——高带宽存储（HBS）的研发工作。这一创新技术不仅标志着存储芯片领域的一次重大突破，更预示着未来智能设备性能的显著提升。
HBS技术的核心在于其独特的堆叠设计，该技术最多可实现16个DRAM和NAND闪存模块的垂直堆叠，并通过先进的垂直导线扇出（VFO）技术实现高效连接。这种设计极大地提高了数据传输的带宽和速度，为数据处理提供了前所未有的动力。
随着人工智能（AI）技术的快速发展，对设备算力的需求日益增长。SK海力士的HBS技术正是为了满足这一需求而生，它有望让未来的智能手机和平板电脑等智能设备具备更强大的AI算力，从而支持更加复杂和智能的应用场景，如实时语音识别、图像识别、自然语言处理等。
据业内专家分析，SK海力士的HBS技术不仅将推动存储芯片行业的进步，更将引领整个智能设备市场向更高性能、更低功耗的方向发展。这一技术的成功研发和应用，无疑将为全球消费者带来更加流畅、智能的使用体验。（ETNews）
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