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存储市场供需失衡加剧:DRAM与NAND缺货,Q4及明年价格或再涨

时间:2025-09-28 12:05:44 来源:财联社 作者:财联社

《科创板日报》9月28日讯 近期,由AI热潮引发的存储需求激增,正不断加剧全球存储市场的供需失衡。DRAM与NAND闪存两大核心产品均面临缺货困境,且这一态势较此前预测更为严峻,预计今年第四季度及2026年存储行业价格将迎来新一轮上涨。

据台湾工商时报最新消息,DRAM及NAND闪存市场目前均出现缺货现象,且缺货程度超出市场预期。分析认为,这一局面主要由多方面因素共同导致。

一方面,全球云服务厂商大幅上调了2026年的存储订单量,导致存储三大原厂——SK海力士、美光、三星的库存迅速消耗,现有产能已难以满足快速增长的客户需求。这一供需矛盾,成为推动存储价格上涨的重要动力。

另一方面,传统HDD(机械硬盘)大厂相继宣布减产,业内人士指出,这一举措或将导致至少半年的供应短缺。在此背景下,部分原本依赖HDD的订单开始转向SSD(固态硬盘),进一步加剧了NAND闪存供应链的紧张程度。

面对持续加剧的供需失衡,全球存储行业多家厂商已相继启动调价策略。

继闪迪、美光、三星及西部数据宣布涨价后,存储模组大厂威刚日前宣布,自29日起停止DDR4报价,并将DDR5与NAND闪存优先供应给主要客户。与此同时,NAND闪存控制芯片大厂群联也已在近日恢复部分报价,且价格涨幅约达10%,这一举动被视为NAND闪存市场“开涨信号”。

业内人士普遍认为,存储市场第四季度涨价已成定局。尽管10月合约价尚未正式敲定,但上游原厂涨价态度更为强势,涨幅可能超出原有预期。根据原有预测,DDR5合约价将上涨10%-15%,现货价涨幅为15%-25%;DDR4合约价涨幅将超过10%,现货价涨幅则超过15%。

德邦证券分析指出,本轮存储行业的上行周期与以往有所不同。前两轮周期更多依托消费端发力,而本轮存储芯片的需求则更多源自大型科技公司在AI时代的算力基建,因此其持续性可能更强。

值得一提的是,美光在最新财报中表示,AI需求已全面扩散至数据中心、PC、手机及车用等应用领域,进一步凸显了存储市场在AI时代的重要性。

当前,海外存储原厂盈利需求急迫,且由于AI高景气,相关产能正逐步转向高阶产品。叠加下半年传统备货旺季的到来,平安证券认为,自第二季度起DRAM和NAND Flash存储产品合约价有望筑底回升。同时,eSSD、RDIMM等企业级存储产品需求持续高企,相关存储产业链企业业绩有望迎来明显改善。建议关注江波龙、德明利、兆易创新、香农芯创、开普云、澜起科技、东芯股份、普冉股份等企业。