散英魂寄千万雄鹰翱翔神州，尽智魄载十亿慧芯呼唤华夏。
01 前沿导读
据美国科技媒体Tom's Hardware报道，随着美国对华技术制裁的持续收紧，中国获取ASML先进EUV光刻机的路径几乎被切断。在此背景下，中国企业正加速推进浸润式DUV光刻机的国产化进程，试图通过多重图案化技术实现先进芯片的制造。
ASML现任CEO克里斯托夫·富凯在接受彭博社采访时指出，中国光刻机产业虽落后全球10至15年，但美国的制裁反而成为加速技术追赶的催化剂。他强调，DUV设备已成为中国突破技术封锁的关键切入点。
然而，研发先进DUV技术需承担长期低效风险。业内分析认为，中国企业可能面临长达十年的产业低效期，但以时间换取光刻机领域的独立自主，仍是当前最具战略价值的选项。
参考资料：China bets on DUV as EUV blockade reshapes chipmaking https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/china-bets-on-duv-as-euv-blockade-reshapes-chipmaking
02 技术追赶：从EUV封锁到DUV突破
ASML的NXT系列EUV光刻机因美国出口管制，无法向中国大陆企业交付。这类设备是单次曝光制造7nm及以下芯片的核心工具。中芯国际CEO梁孟松曾公开表示，中国企业已掌握7nm工艺技术，但缺乏EUV设备进行量产验证。
ASML首席财务官罗杰·达森在2023年财报中透露，公司当年向中国交付的DUV光刻机均为数年前订单，且采购方为成熟制程芯片制造商，符合美荷出口管制规则。这些设备虽非最先进型号，却为中国芯片产业提供了关键支撑。
参考资料：ASML Q4 2023 Financial Results https://www.asml.com/en/investors/financial-results/q4-2023
EUV光刻机作为全球最复杂的精密设备之一，包含数十万个零部件，其中数千个来自美国供应商，单机售价超1.5亿美元。其单次曝光即可完成7nm以下芯片制造，而DUV设备需通过多重图案化技术才能实现类似效果。
浸润式DUV光刻机虽问世已逾20年，但先进型号可单次曝光制造28nm芯片，结合多重图案化技术可突破至7nm制程。不过，这种技术路径会导致成本激增、能效下降、良品率波动，英特尔曾用该技术制造10nm芯片，但产能与能效均未达预期。
尽管如此，英特尔与台积电的实践证明，多重图案化技术具备可行性，这为中国企业提供了绕过EUV封锁的路径。华为新麒麟芯片的量产，即是通过浸润式DUV与多重图案化技术实现的突破。
03 技术瓶颈与国产化路径
当前，中国芯片企业主要依赖数年前从ASML采购的浸润式DUV设备。多重图案化技术需消耗更多晶圆资源，并依赖高精度刻蚀机与测量设备，导致综合制造成本远高于EUV路线。
尽管面临能效与性能差距，中国企业通过国产化设备解决了先进芯片的供应问题。ASML产业报告指出，即使采用EUV制造的芯片，其关键层仍需DUV技术参与，二者并非替代关系，而是面向不同应用场景的互补技术。
美国的技术封锁实质是零和博弈：要么接受全球化分工，使用进口设备；要么自立自强，开发自主技术。当前制裁已切断第一条路径，中国企业被迫转向国产化道路。尽管需经历多年低效期，但每一步突破都离技术自主更近。
对于中国芯片产业而言，自立自强既是短期生存需求，也是长期发展目标。在EUV封锁持续升级的背景下，DUV技术的突破与国产化设备的完善，将成为打破技术垄断的关键战役。
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