随着人工智能（AI）市场的爆发式增长，高带宽存储器（HBM）需求持续攀升，SK海力士凭借技术优势与市场布局，在2024年第三季度（4月至6月）再次创下季度业绩新高。公司不仅在第五代HBM（HBM3E）12位高带宽存储器市场中占据主导地位，更宣布第六代HBM（HBM4）已完成量产准备，计划于第四季度全面启动供应，进一步巩固其在AI内存领域的领先地位。
SK海力士29日披露的财报显示，2024年第三季度公司营业利润达11.3834万亿韩元，同比增长62%（初步统计），营业利润率为47%；营收为24.4489万亿韩元，同比增长39%。这一成绩与证券行业预测的11.4142万亿韩元营业利润几乎持平，超出市场预期。
公司表示，业绩增长主要得益于客户对AI基础设施投资的扩大，带动了存储器需求的激增。其中，HBM3E 12位高带宽存储器以及面向服务器的DDR5等高附加值产品的销售增长，成为推动业绩超越上一季度历史纪录的关键因素。此外，128GB以上大容量DDR5的出货量较上一季度增长超一倍，AI服务器用eSSD（企业级固态硬盘）的占比也显著提升，进一步强化了SK海力士在AI内存市场的竞争力。
SK海力士已与主要客户完成明年HBM供应的所有谈判，其中第六代HBM（HBM4）已于9月完成开发并建立量产体系。该产品完全满足客户对性能的要求，并支持业界最高速度，计划于第四季度开始出货，2025年积极提升销量。
公司指出，随着AI市场快速转向推理阶段，人工智能服务器的计算负载正逐渐分散至通用服务器等基础设施，预计高性能DDR5和eSSD等内存产品的市场需求将进一步扩大。近期，全球领先AI企业纷纷宣布战略合作伙伴关系及数据中心扩张计划，也为内存市场带来了积极影响。SK海力士预计，这一趋势将推动HBM、通用服务器内存等各类产品线的需求均衡增长。
为应对超出预期的客户需求，SK海力士计划加速向最先进的10纳米级第六代（1c）工艺过渡，构建覆盖服务器、移动和图形应用的完整DRAM产品线。在NAND领域，公司计划增加全球最高321层产品的供应，以快速响应客户需求。
此外，SK海力士通过M15X晶圆厂扩大产能，提前开放洁净室并开始设备迁入，以加快先进工艺技术的迁移。公司首席财务官（CFO）金宇铉表示，2025年的投资规模将比2024年有所增加，但会根据市场情况持续优化投资策略。
金宇铉强调，随着AI技术的创新，内存市场正转向全新模式，需求已蔓延至所有产品领域。SK海力士将凭借市场领先的产品和差异化技术竞争力，积极响应客户需求，牢牢保持AI内存领域的领先地位。
目前，SK海力士正经历历史性的“超级周期”，其几乎所有产品的需求都在飙升。公司供应了NVIDIA AI加速器中使用的大部分HBM3E芯片，并即将完成NVIDIA对HBM4的质量测试。AI数据中心的扩张提振了内存半导体需求，而通用服务器的更新换代周期导致通用DRAM价格飙升。例如，PC级通用DRAM的固定交易价格从2024年1月的1.35美元上涨至9月的6.30美元，涨幅达5倍。
证券公司预计，SK海力士2024年第四季度的收入和利润将高于第三季度。强劲的HBM销售和DRAM内存芯片价格的持续上涨，将成为推动增长的主要动力。iM证券研究员宋明燮指出，尽管第四季度内存半导体出货量通常会环比下降，但今年强劲的需求预计将维持出货量水平。分析师预测，SK海力士第四季度营收为26.6万亿韩元，营业利润为13.3万亿韩元。
半导体行业预计，这一超级周期将强劲持续至至少2025年第一季度。尽管SK海力士在HBM领域可能会面临三星电子的竞争，但由于通用DRAM需求持续增长，其营收有望进一步增长。IBK证券研究员金云浩表示，预计到2026年，内存市场将以AI为中心实现增长，SK海力士有望在DRAM和NAND闪存领域展现差异化表现。
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