随着人工智能（AI）应用从训练阶段向推理阶段快速转型，全球内存芯片市场正迎来新一轮结构性变革。作为全球第二大内存芯片制造商，SK海力士近日宣布将大幅扩张先进制程产能，重点押注AI推理应用催生的通用DRAM需求爆发。
10纳米DRAM产能扩张计划：月产能将增至8倍
据韩国媒体11月20日报道，SK海力士计划在2025年将第六代10纳米（1c DRAM）的月产能从目前的约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍。这一扩产规模将使其1c DRAM产能占公司DRAM总产能的三分之一以上，成为其产能结构调整的核心方向。
行业消息人士透露，扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7显存和SOCAMM2内存模块等高端产品，以满足英伟达等科技巨头的订单需求。这一战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，SK海力士正将业务重心从高带宽内存（HBM）向更广泛的AI内存市场延伸。
HBM与通用DRAM双线布局：提前锁定明年产能
在通用DRAM领域，SK海力士已将1c DRAM的良率提升至80%以上，该制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新产品。公司计划在利川园区通过工艺升级新增14万片月产能，并考虑进一步扩大至16万至17万片。按照当前每月50万片DRAM晶圆进料量计算，超过三分之一的产能将投入1c DRAM生产。
与此同时，SK海力士在HBM市场继续保持领先优势。近期与英伟达完成的HBM4供应谈判中，公司成功将价格提升至每颗500美元以上，涨幅逾50%。这款搭载于英伟达下一代AI芯片Rubin的HBM4，数据传输通道达2048个，是前代HBM3E的两倍。尽管三星电子和美光计划大规模供应HBM4，但SK海力士已提前锁定英伟达的订单，并维持当前盈利能力。
AI推理需求重塑市场：通用DRAM成主流选择
SK海力士战略调整的核心逻辑在于AI应用重心的转变。此前公司重点布局HBM，认为其需求增速将超过通用DRAM。但随着AI模型从训练扩展到推理领域，通用DRAM的需求增速预计将与HBM相当。在推理场景中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择。
英伟达近期发布的AI加速器Rubin CPX采用GDDR显存而非HBM，谷歌、OpenAI和亚马逊等企业也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器。英伟达主导的SOCAMM2内存模块标准（面向AI服务器和PC）同样采用1c DRAM，其能效比HBM更高。业内人士预测，SK海力士将获得英伟达SOCAMM2的供应订单。
产能提前售罄：明年利润或创历史新高
据DRAMeXchange数据，DDR4固定交易价格在9月突破7美元，创6年10个月来新高。这主要由于主要存储芯片企业集中扩充HBM产线，导致通用DRAM供应紧张。一位业内人士表示：“随着推理AI市场快速扩张，存储芯片供应短期内无法跟上需求。”
SK海力士的激进扩张计划已获得市场积极反馈。公司今年3月率先交付全球首个HBM4 12层堆栈样品，6月开始供应初始批次。位于清州园区的M15X工厂将于年底投产，这条1b DRAM生产线每月可生产6万片晶圆，用于明年正式向英伟达供应HBM4。
市场预测，SK海力士2025年设施投资额将突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长。得益于HBM4约60%的利润率和通用DRAM价格上涨，公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创历史新高。一位分析师指出：“SK海力士在产品生产前就已售罄明年产能，这将帮助其维持高利润率。”
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