存储芯片行业领军企业美光科技近日发布最新财报，不仅上财季业绩远超预期，更给出本财季营收指引大幅超越华尔街预测，凸显人工智能（AI）需求对存储市场的强劲拉动作用。公司高带宽内存（HBM）产品持续领跑，推动数据中心业务创下历史新高。
根据美东时间9月23日盘后公布的财报，截至2025年8月28日的第四财季，公司实现营业收入约113.2亿美元，同比增长46%，超出分析师预期的111.5亿美元及公司指引上限。非GAAP口径下调整后每股收益（EPS）达3.03美元，同比激增156.8%，较公司指引上限高出0.11美元。
细分业务中，DRAM内存营收达90亿美元，环比增长27%，占总营收比重提升至79%；NAND闪存营收23亿美元，环比增长5%。值得关注的是，公司专为数据中心设计的HBM产品营收创下单季新高，带动云存储业务（CMBU）营收同比增长213.5%至45.43亿美元。
全财年来看，美光实现374亿美元营收，同比增长49%，调整后毛利率达45.7%，同比提升9.2个百分点，运营利润同比增长126.6%至39.55亿美元。公司已连续七个季度实现盈利，超出DRAM行业通常6-8个季度的周期规律，显示AI需求正在延长行业上升周期。
对于2026财年第一财季，美光给出极具信心的业绩指引：预计实现营业收入122亿至128亿美元（中值125亿美元），同比增长43.5%，远超分析师预期的119亿美元；调整后EPS指引为3.60至3.90美元（中值3.75美元），同比增长109.5%；毛利率指引达50.5%-52.5%，较上季度提升6-7个百分点。
公司同步上调行业需求预测，预计2025年全球DRAM Bit需求增长率将超过15%，NAND需求增速达10%-15%。为满足持续旺盛的市场需求，美光2025财年资本支出达138亿美元，同比增长70%，主要用于1γ DRAM和HBM技术升级。2026财年资本支出预计将继续增长，一季度已规划45亿美元支出。
财报披露同时，美光CEO Sanjay Mehrotra宣布重大进展：公司HBM客户群已扩展至六家主要科技企业，并已与几乎所有客户就2026年大部分HBM3E产品价格达成协议。目前36GB HBM4 12H（12层堆叠）内存样品已向客户交付，该产品采用2048位元接口，传输速率超2.0 TB/s，性能较前代提升超60%，功耗降低20%。
公司预计未来几个月内将完成HBM4产品规格和供货量的最终谈判，实现2026年全部HBM产能预售一空。市场分析指出，美光HBM产品已占据AI芯片开发的关键地位，其技术领先性和产能保障能力使其成为AI领域支出增长的主要受益者。
财报公布后，美光股价在周二常规交易时段上涨1.03%，盘后交易中一度飙升4.2%，最终收涨0.87%。机构分析认为，美光通过持续的技术创新和产能扩张，成功把握AI发展带来的存储需求升级机遇，其HBM4产品的按期推进进一步巩固了在高带宽内存领域的领先地位。
随着全球AI基础设施建设的加速推进，美光科技正凭借其技术优势和产能布局，在存储芯片行业的新一轮增长周期中占据有利地位。公司预计到2026年DRAM市场供应将持续紧张，NAND市场状况将显著改善，为未来业绩增长提供有力支撑。
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