全球内存芯片市场正迎来新一轮技术变革与产能扩张浪潮。作为行业领军企业，SK海力士正通过激进扩产策略押注AI驱动的内存需求爆发，其第六代10纳米DRAM（1c DRAM）产能扩张计划引发市场高度关注。
据韩国媒体11月20日报道，SK海力士计划将1c DRAM月产能从当前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8-9倍。这一产能提升后将占其DRAM总产能的三分之一以上，主要面向GDDR7和SOCAMM2等AI内存产品的生产需求。
行业消息人士透露，扩产后的1c DRAM已获得英伟达等科技巨头的订单承诺。这一战略调整标志着SK海力士正将业务重心从高带宽内存（HBM）向更广泛的AI内存市场延伸，以应对AI推理应用对通用DRAM需求的爆发式增长。
在HBM领域，SK海力士近期与英伟达完成HBM4供应谈判，成功将价格提升至每颗500美元以上，涨幅超过50%。值得关注的是，该公司已提前锁定明年全部产能，在高端HBM和通用DRAM市场均占据定价主导权。业内估算其HBM4利润率可达60%，明年销售额预计达40-42万亿韩元。
与此同时，公司正加速1c DRAM技术迭代。该制程良率已突破80%，主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新产品。按照当前每月50万片DRAM晶圆进料量计算，超过三分之一的产能将投入先进制程生产，显示出对AI内存市场的强烈信心。
SK海力士战略调整的核心逻辑源于AI应用重心的转移。随着AI模型从训练阶段向推理阶段扩展，通用DRAM需求增速正与HBM持平。在推理场景中，能效比更高的通用DRAM逐渐成为主流选择。
典型案例包括英伟达最新AI加速器Rubin CPX采用GDDR显存，谷歌、OpenAI等企业开发的定制AI加速器也大量集成通用DRAM。特别值得关注的是，英伟达主导的SOCAMM2内存模块标准采用1c DRAM，该模块能效比优于HBM，SK海力士有望获得可观订单。
市场数据显示，DDR4价格9月突破7美元，创6年10个月新高。这主要源于HBM产线扩张导致的通用DRAM供应紧张。业内人士指出，随着推理AI市场快速扩张，内存芯片供应短缺现象短期内难以缓解。
HBM4的涨价具有坚实技术基础。该产品数据传输通道达2048个，较前代翻倍，并新增计算效率优化和能源管理逻辑工艺。为控制成本，SK海力士将基础芯片生产外包给台积电，这成为其提价的重要依据。
在产能布局方面，公司位于清州园区的M15X工厂将于年底投产，该1b DRAM生产线月产能达6万片晶圆，将用于HBM4生产。这种双线布局策略使其既能保持HBM技术领先，又能抓住通用DRAM市场机遇。
市场分析师预测，SK海力士明年营业利润有望突破70万亿韩元，刷新历史纪录。这一预期建立在三大支柱上：已锁定的HBM4盈利能力、提前售罄的产能保障，以及持续旺盛的AI内存需求。
具体来看，若维持当前利润率，仅HBM业务就可创造约25万亿韩元营业利润，较今年增长近50%。同时，通用DRAM价格飙升可能使其营业利润率达到50%-60%。这种双轮驱动模式，正将SK海力士推向全球存储芯片市场的价值巅峰。
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