周一，韩国科技巨头三星电子股价迎来显著上涨，单日涨幅达5%，股价一度攀升至83400韩元，创下过去一年以来的新高。这一股价飙升的背后，是三星电子在人工智能芯片领域取得的一项重大突破——其12层HBM3E芯片产品成功通过了英伟达的认证测试。
在三星电子股价大涨的带动下，韩国综合股价指数（KOSPI）上午时段也实现了0.8%的上涨，市场整体氛围积极。
三星电子此次获得的认证，是其高带宽内存（HBM）芯片研发进程中的一个重要里程碑。此前，三星在多次尝试后均未能通过英伟达的严格认证，但此次终于成功跨越了这一门槛。这意味着三星电子在全球人工智能芯片赛道上迈出了坚实的一步，成为英伟达HBM芯片的第三家供应商。
据韩国媒体报道，三星电子目前正在紧锣密鼓地准备向英伟达供应其12层HBM3E存储芯片。尽管初期产量和供应量将相对有限，但这一合作无疑将为三星电子带来新的增长点。此前，三星已经向AMD和博通公司供应了HBM3E产品，但英伟达的认证一直被视为其HBM芯片业务的重要试金石。
英伟达对供应商的要求极为严苛，要求HBM数据传输速度超过每秒10千兆位元，远高于目前行业标准的8Gbps。这一高标准也促使了三星电子在技术研发上的不断突破。
在三星电子之前，其竞争对手SK海力士已经率先开始大规模量产并向英伟达供应HBM芯片，美光科技公司也紧随其后。然而，随着三星电子的加入，HBM芯片市场的竞争将更加激烈。
尽管如此，SK海力士目前仍在HBM芯片市场上占据领先地位。上周，SK海力士宣布已完成HBM4芯片的开发，并推动其股价创下历史新高。相比之下，周一SK海力士的股价则呈现横盘走势。而美光科技美股上周五则下跌了3.5%。
富国银行分析师Andrew Rocha指出，三星电子芯片业务的进展可能会对HBM市场的定价产生负面影响，特别是如果三星以折让价格出售其产品以获取市场份额的话。同时，他也提到，随着美光股价接近170美元，市场对该公司即将发布的财报预期很高。
三星电子的“归位”，也预示着HBM4芯片市场的大战将全面升温。公司此前曾表示，正在与英伟达、博通以及谷歌等主要AI芯片厂商就HBM4进行洽谈，预计最早可以在2026年上半年开始大规模出货。
同一天，三星电子还宣布大幅上调内存和闪存产品的价格。其中，DRAM产品涨幅高达30%，NAND闪存产品价格上涨5%—10%。这一涨价措施主要是由于供应紧张和云端企业需求激增所致。美光和闪迪等竞争对手也同时宣布了类似的涨价措施，其中美光涨幅达20%—30%并暂停接受新订单。
据韩国媒体进一步报道，三星将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%，eMMC和UFC等NAND闪存产品价格上涨5%—10%。供应紧张主要源于老产品减产和大型云服务商需求的增长。
此轮涨价反映出内存行业正经历结构性转变。随着厂商将重心转向AIPC和下一代智能手机等新兴市场，传统产品的供应出现收缩。摩根士丹利预计，随着HBM市场竞争的加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续的增长。
三星电子并非独自面对这一市场变化。美光已通知客户价格将上涨20%—30%，同时暂停接受新订单。闪迪也宣布NAND闪存产品涨价10%。这表明整个内存行业正面临供需失衡的压力。
供应紧张的根本原因在于产业重心的转移。随着AIPC和新一代智能手机采用LPDDR5/X标准，厂商减少了老产品的生产，但新标准的产能尚未跟上需求的增长。DDR4内存价格已暴涨50%，使得DDR5成为更具成本效益的PC解决方案。
内存价格的上涨将直接影响消费电子和企业采购成本。三星电子作为全球最大的内存厂商之一，其定价策略通常引领行业走向。市场担忧，供应紧张可能持续至2025年。
需求激增成为推高价格的关键因素。各大DRAM厂商纷纷转向AI赛道，优先为英伟达、AMD等AI加速器供应最新产品。这种优先级的调整导致消费级DRAM供应更加紧张。
目前，三星电子占据32.7%的DRAM市场份额和32.9%的NAND市场份额。公司正努力获得英伟达的支持以推广其HBM产品，同时加速LPDDR6 DRAM的开发，首批设计预计将于今年晚些时候推出。
此前，摩根士丹利在研报中表示，HBM的“溢价神话”正面临挑战，预计2026年将出现激烈竞争和定价压力。在美联储降息预期和宏观环境改善的背景下，市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块。大摩特别看好传统DRAM的投资价值。
DRAM和NAND的供需结构趋紧，似乎增强了涨价的必要性。花旗集团预测，明年DRAM和NAND闪存的供应将分别短缺1.8%和4%。摩根士丹利也预测，明年NAND的供应短缺将高达8%。
北京商报综合报道
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