在人工智能（AI）技术持续突破与应用的推动下，全球存储芯片市场正经历一场前所未有的变革，被业界形象地称为“饥饿游戏”。这场游戏不仅关乎技术的较量，更是市场供需关系的深刻调整。
据追风交易台最新消息，摩根大通分析师Jay Kwon、Sangsik Lee等在近期发布的深度报告中指出，由云服务提供商引领的“内存饥渴”现象，正推动整个存储芯片行业迈向结构性增长的新阶段。
报告详细分析，本轮周期的核心驱动力源自AI计算对高性能内存的巨大需求。这一需求不仅局限于高端的高带宽内存（HBM），更迅速扩展至传统DRAM和NAND闪存领域，形成了全面的市场拉动效应。市场动态显示，未来12个月内，供应商可能难以完全满足所有需求，这为价格持续走强提供了有力支撑。
值得注意的是，这场行业变局并非仅限于DRAM市场的价格复苏。NAND闪存市场同样展现出强劲的反弹势头，部分原因在于硬盘驱动器（HDD）的严重短缺，迫使客户纷纷转向企业级固态硬盘（eSSD），进一步加剧了市场的供需紧张。
基于上述市场动态，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测。报告预计，到2027年，全球存储市场总体有效市场规模（TAM）将达到近3000亿美元，其中2025至2026年的预测值上调了6%至24%。
报告明确指出，DRAM市场正迎来一个从2024年持续至2027年的“前所未有的四年定价上行周期”。这一长周期打破了过去数年DRAM市场“大起大落”的行业规律，其背后的关键因素正是HBM的稳定需求。
报告预测，到2027年，HBM在DRAM市场总价值中的占比将高达43%。HBM的高价值和强劲需求将有效平滑传统DRAM价格的周期性波动，为整个DRAM市场带来更为稳定的利润基础。
此外，报告还认为，即使在2026年HBM3E产品可能因供应增加而降价，但由于下一代HBM4将享有约35%的溢价，混合HBM平均售价（ASP）在2026年仍不太可能下降，这为市场提供了额外的价格支撑。
在竞争格局方面，SK海力士被认为在HBM4的竞赛中处于领先地位，有望比竞争对手更早获得英伟达的认证，从而占据超过60%的市场份额。三星电子和美光则可能争夺剩余的HBM4订单，形成三足鼎立的竞争态势。
本轮存储芯片需求的广度是其核心特征之一。除了作为焦点的HBM外，需求还正向更多元化的应用扩展，共同加剧了供应紧张的局面。
报告强调，用于英伟达下一代Vera CPU的SOCAMM2内存模组，以及用于Rubin CPX GPU的GDDR7显存，都将成为拉动DRAM需求的新增长点。同时，AI推理、AI服务和边缘AI应用的兴起，也要求通用服务器必须升级内存配置，以获得更低的延迟和更优的功耗表现。
基于此，摩根大通再次确认了其上调的全球存储市场规模预测。报告预计，到2027年，仅AI相关应用就将占据DRAM市场TAM的53%。为应对需求激增，存储芯片制造商预计将在2026至2027年将资本支出（Capex）提高7%至12%，其中DRAM的产能扩张将是优先事项。
在经历了长达两年的投资不足后，NAND闪存市场也迎来了强劲的定价复苏。报告分析指出，这一转变主要得益于企业级固态硬盘（eSSD）需求的激增。
一个关键的外部因素是传统硬盘驱动器（HDD）的供应短缺。据媒体报道，部分近线HDD的交付周期已长达52周。这使得原本主要由HDD主导的近线存储市场，开始大规模将eSSD作为替代方案，从而推动了NAND市场的快速增长。
与此同时，随着AI模型从训练转向推理应用，对数据读取速度和延迟的要求变得更高，这使得NAND的结构性重要性日益凸显。摩根大通预计，NAND价格仍有进一步上涨空间，其混合平均售价在2026财年将同比增长7%。不过，报告也补充称，虽然AI推理对存储的需求是结构性的，但其确定性不如HBM之于GPU计算，因此对NAND市场的长期前景持相对审慎乐观的态度。
猜你喜欢
