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GaN功率器件市场:新巨头崛起与未来趋势分析

时间:2025-10-08 13:03:10 来源:半导体行业观察 作者:半导体行业观察

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来源:yolegroup

氮化镓(GaN)技术已成为本世纪最具颠覆性的半导体创新之一。据Yole Group预测,到2030年全球GaN功率器件市场规模将突破30亿美元,其中消费电子与移动设备领域占比将超过50%。快充等消费电子应用作为早期市场,已推动GaN生态系统进入成熟阶段。

Yole Group复合半导体分析师Roy Dagher指出:"GaN器件在LiDAR系统中的渗透率持续提升,而车载充电器(OBC)将成为下一个爆发点。"数据显示,功率GaN市场正通过战略投资、并购整合和技术创新进入关键发展期。


汽车与数据中心:GaN的两大增长引擎

汽车电气化浪潮推动GaN器件需求激增。LiDAR系统已实现规模化应用,车载充电器(OBC)和非车载直流快充设备正加速成熟。预计2024-2030年汽车市场将以73%的复合年增长率(CAGR)扩张,牵引逆变器等新兴应用将贡献主要增量。

数据中心领域同样呈现爆发态势。英伟达与宽禁带芯片厂商合作,将GaN技术集成至800V高压直流电源系统,为大规模应用铺平道路。GaN的高效电源转换特性可节省电路板空间,在AI服务器和网络设备领域已成为竞争必需品。2024-2030年,数据中心与电信市场将以53%的CAGR快速增长。


市场格局:从整合到垂直竞争

2023年以来,功率GaN市场进入深度整合期。英飞凌以8.3亿美元收购GaN Systems,瑞萨电子3.39亿美元收购Transphorm,标志着行业从分散走向集中。当前竞争焦点已转向企业如何通过垂直整合定义下一代生态系统。

  • 英诺赛科(Innoscience):凭借快充、汽车、数据中心等领域的全面布局,以30%市场份额保持领先。其外延片(epi wafers)自研能力强化垂直整合,通过与STMicroelectronics合作拓展海外市场。
  • 瑞萨电子:通过Transphorm获得40-200V低压e-mode到650V高压d-mode全产品线,预计2026年GaN业务收入突破1亿美元。
  • 英飞凌:依托CoolGaN™产品线和收购GaN Systems巩固市场地位,与英伟达合作开发12英寸GaN-on-Si试验线,覆盖消费电子、数据中心、汽车三大领域。
  • 纳微半导体(Navitas):通过GaNSafe技术从消费电子向高功率市场延伸,与Enphase、英伟达达成合作,并在启源SUV E07中实现OBC首次应用。
  • Power Integrations:基于GaN-on-蓝宝石的PowiGaN®技术,推出1250V/1700V高压产品,通过多领域设计导入实现收入快速增长。
  • EPC:以低压e-mode产品组合为核心,拓展机器人、太空等新兴应用场景,巩固关键供应商地位。

晶圆代工领域竞争加剧。尽管台积电退出市场,Polar Semi、PSMC等新进入者与Global Foundries、X-FAB、Vanguard等扩大产能。三星计划2026年发布GaN产品,安森美(onsemi)凭借Si/SiC领域优势,预计很快加入战场。

Yole Group总结指出,功率GaN市场正从成熟期转向由IDM驱动的战略整合阶段。随着三星、安森美等新势力入局,竞争将进一步白热化,推动GaN成为下一代电力电子的核心支柱。

报告原文链接:Yole Group GaN市场分析

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(今天是《半导体行业观察》第4188期内容,欢迎关注并加星标⭐️获取最新资讯)